Transistores de Si, SiC y GaN
Transistores de silicio (Si), Carburo de Silicio (SiC) y Nitruro de galio (GaN) desde el punto de vista de la electrónica de potencia.
Cálculo de pérdidas en inversores monofásicos
El cálculo de pérdidas en inversores monofásicos es especialmente complejo debido a que la tensión e intensidad que circulan por los componentes no son constantes. Se propone un método para el cálculo de estas pérdidas y se desarrollará un software para automatizarlo.
(más…)Cálculo de pérdidas en transistores de potencia
El cálculo de pérdidas en transistores de potencia es fundamental para el diseño de una refrigeración acorde y la viabilidad de un diseño. Se mostrará un método para estimar las pérdidas de transistores MOSFET tradicionales, SiC y GaN.
(más…)Convertidor Boost y controlador 34063
Diseño de un convertidor DC-DC Boost utilizando el clásico controlador 34063. Cálculo de los componentes, varios trucos sobre el mismo y construcción de un prototipo.
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