Reloj Nixie
Diseño de un reloj nixie desde cero con el desarrollo de todas sus partes funcionales. Descripción de la física detrás de los tubos nixie.
Transistores de Si, SiC y GaN
Transistores de silicio (Si), Carburo de Silicio (SiC) y Nitruro de galio (GaN) desde el punto de vista de la electrónica de potencia.
Cálculo de pérdidas en inversores monofásicos
El cálculo de pérdidas en inversores monofásicos es especialmente complejo debido a que la tensión e intensidad que circulan por los componentes no son constantes. Se propone un método para el cálculo de estas pérdidas y se desarrollará un software para automatizarlo.
(más…)Cálculo de pérdidas en transistores de potencia
El cálculo de pérdidas en transistores de potencia es fundamental para el diseño de una refrigeración acorde y la viabilidad de un diseño. Se mostrará un método para estimar las pérdidas de transistores MOSFET tradicionales, SiC y GaN.
(más…)Método de los dos vatímetros. Medida de potencia en trifásica
Vatímetro generado mediante IA Crayon
Demostración matemática del método de los dos vatímetros para medir la potencia de un sistema trifásico. Aplicación para medida de potencia reactiva en sistemas equilibrados.
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